气相沉积的三种方法
cvd化学气相沉积用哪些气体？
cvd化学气相沉积用哪些气体？
化学气相沉积(CVD)是一种过程，其中气体或蒸气物质在气相或气-固界面反应，产生固体沉积物。
化学气相沉积过程分为三个重要阶段:反应气体向衬底表面的扩散、反应气体在衬底表面的吸附、在衬底表面形成固体沉积物的化学反应以及生成的气体副产物离开衬底表面。最常见的化学气相沉积反应是:热分解反应、化学合成反应和化学传输反应。通常在850~1100℃的反应室中通入TiCl4、H2、CH4等气体，通过化学反应在基底表面形成涂层，从而沉积TiC或TiN。
化学气相沉积基本反应？
Cvd1。通过将硅烷分解成硅和氢来沉积硅。
2.还原:四氯化硅和氢生成硅和氯化氢3。氧化:硅烷加氧气形成二氧化硅沉积和氢气4。诸如此类。
cvd是镀膜吗？
Cvd就是镀膜。
Cvd是化学气相沉积。
化学气相沉积(CVD)是一种化学技术，主要是利用一种或多种气态化合物或含有薄膜元素的单质在基底表面发生化学反应形成薄膜。
CVD技术是什么？
CVD技术是化学气相沉积的缩写。
化学气相沉积(CVD)是利用加热、等离子体激发或光辐射等各种能源，使气态或蒸气态的化学物质在反应器内的气相或气固界面发生化学反应，形成固体沉积物的技术。？简单来说，就是将两种或两种以上的气态原料引入一个反应室，然后它们相互反应形成一种新的材料，沉积在衬底表面。？从气相中析出的固体的形态主要有:在固体表面形成薄膜、晶须和颗粒，在气体中形成颗粒。
CVD技术是通过原料气或蒸汽的气相反应来沉积固体物质，所以CVD技术在无机合成和材料制备中的应用具有以下特点:(1)如果沉积反应发生在气固界面，沉积物会按照原来固体基底(也称衬底)的形状被镀上一层薄膜。？(2)涂层的化学成分可以随气相成分的变化而变化，获得梯度沉积或混合涂层。？(3)使用一定的基底材料，沉积物达到一定厚度后可以很容易地与基底分离，从而得到各种特定形状的自由沉积器皿。？(4)在CVD技术中，也可以沉积晶体或微细粉末物质，或者沉积反应可以在气相中而不是在基底表面发生，这样得到的无机合成物质可以是非常微细的粉末，甚至纳米级的颗粒也称为纳米超细粉末。？(5)CVD工艺在较低的压力和温度下进行。它不仅用于致密碳基材料，而且用于增强材料的断裂强度和抗震性能。它是在低压和低温下进行的。
？根据反应类型或压力，CVD技术可分为低压CVD (LPC CVD)、常压CVD(APCVD)、亚常压CVD(SACVD)、超高真空CVD(UHCVD)、等离子体增强CVD(PECVD)、高密度等离子体CVD(HDPCVD)、快速热CVD(RTCVD)和金属有机CVD(MOCVD)。